眾所周知，碳化硅原料作為一種重要的寬禁帶半導體材料，由于其本身所具有的高熱導率，飽和電子漂移速率大和擊穿場(chǎng)強高的特點(diǎn)，目前已被廣泛應用于制備高溫、高頻及大功率電子元器件。

　　根據有關(guān)中科院物理研究所專(zhuān)家最新研究成果顯示，4H碳化硅晶體在2.5-5.6μm中紅外波段具有較高透過(guò)率。通過(guò)實(shí)際測試確定了4H碳化硅晶體的相位匹配條件。

　　在此之前，國際上還尚未出現有關(guān)碳化硅微粉晶體非線(xiàn)性光學(xué)頻率變化的實(shí)驗報道。中科院物理研究所的專(zhuān)家與教授們通過(guò)合作實(shí)驗，首次獲得了波長(cháng)覆蓋3.9-5.6μm的寬譜中紅外激光輸出。因此此項實(shí)驗結果的獲得，有望進(jìn)一步實(shí)現大功率電子元器件的中紅外激光輸出。