碳化硅的特點(diǎn)有很多，但是具體我們了解的并不是很多，金蒙新材幫大家來(lái)總結一下。

　　碳化硅的形成主要有兩種結晶形態(tài)：b-SiC和a-SiC。

　　1.b-SiC為面心立方閃鋅礦型結構，晶格常數a=0.4359nm。

　　2.a-SiC是SiC的高溫型結構，屬六方晶系，它存在著(zhù)許多變體。

　　另外自然界中機會(huì )沒(méi)有天然的碳化硅，一般都是通過(guò)高溫冶煉形成的。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，碳化硅的冶煉介紹：

　　1.約從1700℃開(kāi)始，硅質(zhì)原料由砂粒變?yōu)槿垠w，進(jìn)而變?yōu)檎羝?白煙);SiO2熔體和蒸汽鉆進(jìn)碳質(zhì)材料的氣孔，滲入碳的顆粒，發(fā)生生成Sic的反應;

　　2.溫度升高至1700~1900℃時(shí)，生成b-SiC;溫度進(jìn)一步升高至1900~2000℃時(shí)，細小的b-SiC轉變?yōu)閍-SiC，a-SiC晶粒逐漸長(cháng)大和密實(shí);爐溫再升至2500℃左右，SiC開(kāi)始分解變?yōu)楣枵羝褪?/span>

　　當冶煉溫度達到一定程度時(shí)，我們都可以從冶煉爐中看到最內層的碳化硅是含量最高的，最高可以達到99%，越往外碳化硅的含量就越低。