金蒙新材料公司從相關(guān)渠道獲悉，天科合達與中科院專(zhuān)家合作研究，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底，并且形成了一條年產(chǎn)7萬(wàn)片碳化硅晶片的生產(chǎn)線(xiàn)。

  眾所周知，硅和鍺構成了第一代半導體材料，直到現在我們使用的半導體產(chǎn)品大多依然是基于硅材料的。隨后，砷化鎵、磷化銦逐漸成為第二代半導體材料被用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，從而被廣泛應用于衛星通訊、移動(dòng)通訊、光通信和GPS導航等領(lǐng)域。

  目前，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料通常又被稱(chēng)為寬禁帶半導體材料或高溫半導體材料。碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，臨界擊穿場(chǎng)強大，熱導率高，飽和漂移速度高等諸多特點(diǎn)，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。